VBM1101N
制造商:
VBsemi(台湾微碧)
封装: TO-220AB
型号描述:
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：110A 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：10.5mΩ @ 20A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：272W 类型：P沟道 P沟道 60V 110A
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¥7.423
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