
FQD19N10L
制造商:
VBsemi(台湾微碧)
封装: TO-252
Datasheet:
FQD19N10L
型号描述:
连续漏极电流(Id)(25°C 时):15.6A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:100mΩ @ 7.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W 类型:N沟道 N沟道,100V,15.6A,100mΩ@10V
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¥1.9336
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