
MUN5214DW1T1G
制造商:
ON(安森美)
封装: SOT-363
Datasheet:
MUN5214DW1T1G
型号描述:
额定功率:250mW 集电极电流Ic:100mA 集射极击穿电压Vce:50V 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) 双NPN带阻三极管,50V,100mA,R=10K/47K
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