HY1908D
制造商:
HUAYI(华羿微)
封装: TO-252-2(DPAK)
型号描述:
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):80V 连续漏极电流(Id):90A 功率(Pd):64W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9mΩ@10V,45A N沟道MOSFET. VDS=80V, ID=90A,TO-252 导通电阻 7mR,可替换IRFR1205,IRFR3607,IRFR2
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